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| 产品参数 | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | RM亚成微 | ||
| 封装 | PLP8*8 | ||
| 批号 | 21 | ||
| 数量 | 89213 | ||
| 优势 | 行业先进的3D封装技术,芯片内部集成 | ||
| FET | 650VGaNFET | ||
| 功率 | 120W快充 | ||
| 体积小 | 小体积 | ||
| 固频 | 130Khz | ||
| OVP | VCCOVP | ||
| OLP | 过载保护(OLP | ||
| 保护 | CS短路保护 | ||
| 短路保护 | 输出肖特基短路保护 | ||
| 模式 | 支持CCM\/QR混合模式 | ||
| 可售卖地 | 全国 | ||
| 型号 | RM6820NQ | ||
RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术，芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大120W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点，实现了高可靠、高效率、高集成的小型化大功率快充电源设计要求。
RM6820NQ 集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频 130Khz 的 PWM 模式下，在低压输入时会进入 CCM 模式；在重载情况下，系统工作在 QR 模式，并采用专有 ZVS 技术，以降低开关损耗，同时结合 PFM 工作模式提高系统效率；RM6820NQ 采用专有的驱动技术，搭配高压 GaNFET功率器件改善 EMI 设计；在轻载或空载情况下，系统工作在 Burst Mode 模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6820NQ 本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善 EMI。
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RM6820NQ 同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置 OTP，外置 OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护 OCP，过载保护（OLP），CS 短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿和 ZVS 线电压补偿。
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■?支持 CCM/QR 混合模式；
■?专有 ZVS 技术；
■?内置 700V 高压启动；
■?内置 650V GaNFET；?
■?支持最大 130KHz 工作频率；
■?内置特有抖频技术改善 EMI；?
■?Burst Mode 去噪音； ??
■?低启动电流（2uA），低工作电流；?
■?集成斜坡补偿及 ZVS 高低压补偿；
■?集成 AC 输入 Brown out/in 功能；
■?外置 OVP 保护；
■?具有输出肖特基短路保护/CS 短路保护；
■?内置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多种保护。
RM6820NQ RM9006AB? RM9010BB RM9003A? RM9003B? RM9033 等亚成微全系列正品 可售样 可提供技术支持 欢迎来电咨询:? 13418531057(微信同号)? 胡蓝丹??
